特許
J-GLOBAL ID:201303048927833000

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-064344
公開番号(公開出願番号):特開2013-197406
出願日: 2012年03月21日
公開日(公表日): 2013年09月30日
要約:
【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1磁性層と、 前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、 前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、 を備え、 前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (7件):
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32
FI (5件):
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/12 ,  H01F10/32
Fターム (46件):
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  5E049AA10 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE02 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE15 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24
引用特許:
審査官引用 (4件)
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