磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064344
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197406
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 10/12 , H01F 10/32

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F10/12 , H01F10/32

Fターム (46件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 5E049AA10 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE02 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE15 , 5F092BE21 , 5F092BE24

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-242854 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-221569 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
特開昭61-084005

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