磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (19件)：蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-221569
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071352
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。【解決手段】本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1磁性層3と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第2磁性層2と、第1磁性層3と第2磁性層2との間に設けられる第1非磁性層4とを含む。第1磁性層3は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、c軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。第1磁性層3の磁化方向は、第1磁性層3、第1非磁性層4及び第2磁性層2を貫く双方向電流により変化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられる第1非磁性層とを具備し、前記第1磁性層は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、c軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成され、前記第1磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層、前記第1非磁性層及び前記第2磁性層を貫く双方向電流により変化することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01F10/16 , H01F10/32

Fターム (38件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA08 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE25 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-094625 出願人：株式会社東芝
交換結合膜及び磁気デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-250737 出願人：富士通株式会社
磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-154448 出願人：昭和電工株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Epitaxially Grown FCC/BCC/HCP Multi-Underlayers for High Performance Perpendicular Media

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