特許
J-GLOBAL ID：201303049842393636
熱アニーリング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-020119
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175723
出願日： 2013年02月05日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】誘導自己組織化用途に使用するためのポリ(スチレン)-b-ポリ(ジメチルシロキサン)ジブロックコポリマー組成物を処理する方法を提供する。【解決手段】ポリ(スチレン)-b-ポリ(ジメチルシロキサン)ブロックコポリマー成分を含むコポリマー組成物のフィルムを基体の表面に適用し、場合によっては前記フィルムをベークし、前記フィルムを特定の雰囲気条件下で特定の期間にわたって高温アニーリングプロセスにかけ、次いで、前記アニールされたフィルムからポリ(スチレン)を除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ(ジメチルシロキサン)をSiOxに変換するように前記アニールされたフィルムの処理を行うことを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面を有する基体を提供し;
ポリ(スチレン)-b-ポリ(ジメチルシロキサン)ブロックコポリマー成分を含むコポリマー組成物を提供し、前記ポリ(スチレン)-b-ポリ(ジメチルシロキサン)ブロックコポリマー成分の数平均分子量が25〜1,000kg/molであり;
前記基体の前記表面に前記コポリマー組成物のフィルムを適用し;
場合によっては、前記フィルムをベークし;
前記フィルムを275〜350°Cで、7.5ppm以下の酸素濃度を有する気体雰囲気下で、1秒〜4時間の期間にわたって加熱し;並びに、
前記アニールされたフィルムからポリ(スチレン)を除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ(ジメチルシロキサン)をSiOxに変換するように前記アニールされたフィルムを処理する;
ことを含む、基体を処理する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, C08J 7/00
, C08F 293/00
, C08L 83/10
, B82Y 40/00
H01L21/30 502D
, C08J7/00 301
, C08J7/00
, C08F293/00
, C08L83/10
, B82Y40/00
4F073AA29
, 4F073BA19
, 4F073BA33
, 4F073BB01
, 4F073DA11
, 4F073GA01
, 4F073HA05
, 4F073HA09
, 4F073HA15
, 4J002CP17W
, 4J002CP17X
, 4J002GQ00
, 4J026HA06
, 4J026HA26
, 4J026HA39
, 4J026HA43
, 4J026HB32
, 4J026HB40
, 4J026HB46
, 4J026HB50
, 4J026HE01
, 5F146AA28
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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