回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267965
公開番号（公開出願番号）：特開2013-083659
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】高感度の分光散乱計を提供する。【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体からの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

サンプルを測定する計器であって、複数の波長でサンプルの膜の第1の部分の膜厚データおよび屈折率データを測定する分光装置と、前記複数の波長で前記サンプルの回折構造体および前記回折構造体の下にある膜の第2の部分から強度データまたはエリプソメトリックなデータを測定する分光散乱計と、膜厚データ、屈折率データ、および強度データまたはエリプソメトリックなデータから前記回折構造体に対する物理的なパラメータを導き出す手段であって、前記回折構造体に対する複数の物理的なパラメータのための参照データベースを構築し、膜厚データおよび屈折率データを用いて前記参照データベースの構築を簡素化するコンピュータを含む導き出す手段と、を備える計器。

IPC (3件)：

G01B 11/06 , G01B 11/02 , G01N 21/41

FI (3件)：

G01B11/06 G , G01B11/02 G , G01N21/41 Z

Fターム (40件)：

2F065AA24 , 2F065AA30 , 2F065BB02 , 2F065BB18 , 2F065CC19 , 2F065CC31 , 2F065DD03 , 2F065DD06 , 2F065FF10 , 2F065FF41 , 2F065FF48 , 2F065FF50 , 2F065GG24 , 2F065HH04 , 2F065HH08 , 2F065HH12 , 2F065HH13 , 2F065HH14 , 2F065LL04 , 2F065LL30 , 2F065LL33 , 2F065LL34 , 2F065LL46 , 2F065LL67 , 2F065PP12 , 2F065QQ17 , 2F065QQ18 , 2F065QQ23 , 2F065QQ41 , 2G059AA02 , 2G059BB10 , 2G059EE02 , 2G059GG04 , 2G059GG10 , 2G059HH02 , 2G059HH03 , 2G059JJ11 , 2G059JJ17 , 2G059KK01 , 2G059MM01

引用特許：

審査官引用 (4件)

回折構造体、下地構造体、広域帯、偏光エリプソメトリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-534831 出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
マイクロサイズ・パターンを特徴づけるための方法および配列
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-027567 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
加工寸法測定方法、半導体装置の製造方法および品質管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-306873 出願人：富士通株式会社

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