特許
J-GLOBAL ID：201303050063314248
高解像度CMOSイメージセンサのためのスタック型ピクセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033449
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153174
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】固体CMOSイメージセンサ、さらに詳細には、スタックフォトサイト、高感度及び低暗電流を有するCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】ピクセル内の深さXb225に配置されたp+ドーピング領域からなる電位バリア223は、ピクセル内のフォトサイトを2つの別個の領域に分離し、深さXb内部で発生した光-発生電荷208は、ピンドフォトダイオードのn型ドーピング領域205で収集及び蓄積され、電位バリア223の下で発生された電荷210は、FD206で収集及び蓄積される。これにより、光線の波長により相違した深さで発生した電荷を検出及び分離して蓄積でき、上部に光吸収フィルタの必要性なしに固有カラーを感知できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ピクセルアレイを含むイメージセンサにおいて、
前記ピクセルアレイの少なくともいずれか1つのピクセルは、
半導体基板の表面下部の第1領域に形成され、光-発生された電荷(photo-generated c
arriers)を捕集する標準光感知/電荷貯蔵領域と、
前記標準光感知/電荷貯蔵領域と分離され、前記半導体基板の表面に近接した領域に形
成されて分離された電荷貯蔵領域と、
前記半導体基板の内部の前記第1領域下部の第2領域で光-発生された電荷を前記分離
された電荷貯蔵領域に転換(diverting)するために、前記第1領域と第2領域との間の前
記半導体基板の内部に形成された電位バリアと
を含むことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (4件)：
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H04N 5/369
, H04N 5/374
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
, H04N5/335 690
, H04N5/335 745
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA24
, 4M118CA27
, 4M118DD04
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118GD04
, 5C024CY47
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5C024GY31
