特許
J-GLOBAL ID：201303050082945453
3軸磁場センサー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本田 淳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-531101
公開番号（公開出願番号）：特表2013-506141
出願日： 2010年09月27日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
3つのブリッジ回路(101、111、121)であって、各ブリッジ回路は、単一のピン止め材料堆積およびバルクウエハ設定手順を用いて設定される3つの直交方向(110、120、130)の磁場(160)を検知するためのホイートストンブリッジ(100)として結合される磁気抵抗センサーを含む。3つのブリッジ回路の1つ(121)は、ピン止め層(126)に配置され、第1および第2の端部と第1および第2の面とを有する第1の検知素子(122)と、基板の第1の面に非平行に配置され、第1の端部に近接し、かつ第1の検知素子(122)の第1の面上の端部を有する第1の磁束ガイド(132)とを備える第1の磁気抵抗センサー(141)を含む。オプションの第2の磁束ガイド(136)は、基板の第1の面に非平行に配置されており、かつ第1の検知素子(122)の第2の端部および第2の面に近接する端部を有する。
請求項（抜粋）：
強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
平面を有する基板と、
第1の磁気抵抗センサーであって、
前記基板の平面に平行な第1の面を有する第1の検知素子であって、該第1の検知素子は前記第1の面に対向する第2の面を有し、かつ第1および第2の対向端部を有する、前記第1の検知素子と、
前記第1の検知素子の第1の面に対して非平行に配置され、前記第1の検知素子の前記第1の端部および第1の面に近接する端部を有する第1の磁束ガイドとを含む前記第1の磁気抵抗センサーと
を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2G017AA02
, 2G017AA13
, 2G017AC07
, 2G017AD55
, 2G017BA09
