特許

J-GLOBAL ID：201303050739924338

半導体装置とその製造方法

発明者： 杉本 雅裕 ,  副島 成雅 ,  上杉 勉 ,  加地 徹 ,  橋詰 保 ,  佐藤 威友
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053543
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212291
特許番号：特許第5302553号
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 窒化物半導体下層と窒化物半導体上層が積層されている半導体基板と、 その半導体基板の表面に形成されているソース電極とドレイン電極と、 そのソース電極とドレイン電極の間に位置している前記半導体基板の表面に形成されているゲート電極を備えており、 前記窒化物半導体下層の表面に凹部が形成されており、 前記凹部は、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向に伸びている側面と、底面と、を備えており、 前記窒化物半導体上層は、前記窒化物半導体下層よりも大きなバンドギャップを備えており、 前記窒化物半導体上層は、前記窒化物半導体下層の前記表面と、前記凹部の前記側面と、の双方に対してヘテロ接合しており、 前記ゲート電極は、前記凹部よりも前記ソース電極寄りの前記半導体基板の表面と前記凹部よりも前記ドレイン電極寄りの前記半導体基板の表面をも覆っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 V

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156458   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-120101   出願人：サンケン電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• 電子波干渉素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-022745   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156458   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-120101   出願人：サンケン電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• 電子波干渉素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-022745   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• マルチメサゲートAlGaN/GaN HEMT ドレイン電流の高温における高い安定性