特許
J-GLOBAL ID:201303051506852457

センサー基板およびその製造方法並びに検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-058319
公開番号(公開出願番号):特開2013-190375
出願日: 2012年03月15日
公開日(公表日): 2013年09月26日
要約:
【課題】配列を形成するナノ粒子を有するセンサー基板を提供する。【解決手段】センサー基板11では基体17の表面に磁性体材料層18が形成される。磁性体材料層18は磁性体材料で形成される。磁性体材料層18の表面にナノ粒子22の配列が固定される。ナノ粒子22は磁性体材料で形成される。ナノ粒子22には金属膜23が被さる。金属膜23は、照射光に共鳴振動する自由電子を有する材料から形成される。照射光の働きで金属膜23では局在表面プラズモン共鳴が引き起こされる。増強電場が形成される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基体と、 前記基体の表面に磁性体材料で形成された磁性体材料層と、 前記磁性体材料層の表面に固定され、かつ配列された磁性体材料のナノ粒子と、 前記ナノ粒子の表面に形成された、光に共鳴振動する自由電子を有する金属膜と を備えることを特徴とするセンサー基板。
IPC (2件):
G01N 21/65 ,  B82Y 25/00
FI (2件):
G01N21/65 ,  B82Y25/00
Fターム (20件):
2G043BA17 ,  2G043CA01 ,  2G043CA03 ,  2G043DA01 ,  2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA07 ,  2G043GA07 ,  2G043GB02 ,  2G043GB05 ,  2G043GB13 ,  2G043GB16 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043JA02 ,  2G043JA04 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA06
引用特許:
審査官引用 (2件)

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