特許
J-GLOBAL ID：201303051707483590
S/TEMのサンプルを作成する方法およびサンプル構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨貝 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-248393
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033066
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】S/TEMサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置を提供すること。【解決手段】本発明の好ましい実施形態により、TEMサンプル作成用、特に小さい形状(厚さ100nm未満)のTEMラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、TEMサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、TEM分析のスループットおよび再現性を高めるために、TEMサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するS/TEMベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを処理する方法において、
前記半導体ウェハにウェハIDを付与する工程と、
前記ウェハについての、分析される1つまたは複数のサンプル部位についての位置データを含むプロセス・レシピを選択する工程と、
前記ウェハを、前記選択したプロセス・レシピ値にしたがって前記ウェハを処理する荷電粒子ビーム・システムの中に搭載する工程と、
前記位置データを用いてそれぞれのサンプル部位へ荷電粒子ビームを移動する工程と、
それぞれのサンプル部位を撮像する工程と、
材料の薄層を残したままそれぞれの所望のサンプル位置の一方の側のウェハ表面をミリングし、次に他方の側のウェハ表面をミリングする工程と、
1つまたは複数のサンプルを、前記荷電粒子ビーム・システムからプロセス・パラメータ値を取り込むとともに選択したプロセス・パラメータ値にしたがって前記ウェハを処理する外位置ラメラ抽出デバイスへ移す工程と、
前記1つまたは複数のサンプルを前記ウェハから抽出する工程と、
前記1つまたは複数のサンプルをTEMシステムへ移す工程であって、前記TEMシステムは、前記荷電粒子ビーム・システムから前記プロセス・レシピを取り込むとともに前記選択したプロセス・レシピ値にしたがって前記1つまたは複数のサンプルを処理する、前記1つまたは複数のサンプルをTEMシステムへ移す工程と、
前記TEMを用いて前記1つまたは複数のサンプルを撮像する工程と、
前記1つまたは複数のサンプル部位についての3次元構造の寸法を決定するためにTEM画像を分析する工程と、
決定された前記寸法に応じて少なくとも1つのウェハ処理パラメータを調整する工程と
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N1/28 F
, G01N1/00 101B
, G01N1/28 G
2G052AA13
, 2G052CA04
, 2G052CA45
, 2G052EC18
, 2G052GA34
, 2G052HB03
