特許
J-GLOBAL ID：201303051762592322
CVD反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 高城郎
, 河合 典子
, 南 俊宏
, 宮下 桂輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063153
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207301
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】CVDプロセスチャンバの洗浄を効率的に行なう方法を提供する。【解決手段】ガス入口機構がそれぞれ壁(4′)、(5)のいずれかに境を接する1つ又は複数の壁に近いガス入口領域(1)、(3)および壁から離れた少なくとも1つのガス入口領域(2)を有するCVD反応室のプロセスチャンバ(6)の洗浄方法において、相前後して相互に異なる壁(4′)、(5)の表面領域にエッチングガスが異なる強さで吹き付けられるように、エッチングガスを、時間的に順次に、異なるガス入口領域(1)、(2)、(3)を介しておよび/または異なる流体力学条件下でプロセスチャンバ(6)内に導入する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ(6)内で実行されたCVD工程後における、CVD反応室のプロセスチャンバ(6)の壁(4′、5)の洗浄方法であって、この場合、CVD工程においてプロセスガスがそれを介してプロセスチャンバ(6)内に導入されるガス入口機構(1、2、3)を介して、エッチングガスがプロセスチャンバ(6)内に導入され、本方法により、CVD工程の間に壁(4′、5)上に形成された寄生皮膜が除去され、この場合、ガス入口機構が、それぞれ壁(4′、5)のいずれかに境を接する1つまたは複数の壁に近いガス入口領域(1、3)および壁から離れた少なくとも1つのガス入口領域(2)を有する、CVD反応室のプロセスチャンバ(6)の壁(4′、5)の洗浄方法において、
相前後して相互に異なる壁(4′、5)の表面領域にエッチングガスが異なる強さで吹き付けられるように、エッチングガスが、時間的に順次に、異なるガス入口領域(1、2、3)を介しておよび/または異なる流体力学条件下でプロセスチャンバ(6)内に導入され、この場合、ガス入口機構(1、2、3)から離れて配置された表面領域を洗浄するためには、全圧はガス入口機構(1、2、3)に直接隣接する表面領域の洗浄においてよりも低いことを特徴とするCVD反応室のプロセスチャンバ(6)の壁(4′、5)の洗浄方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA02
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EB06
, 5F045EE13
, 5F045EF09
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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