特許
J-GLOBAL ID：201303051897066132

パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体

発明者：
村松 誠

村松 誠 について

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北野 高広

北野 高広 について

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冨田 忠利

冨田 忠利 について

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田内 啓士

田内 啓士 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (4件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司 ,  扇田 尚紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117949
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247159
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：
【課題】ブロック共重合体によりパターンを形成する際の製造コストの増加やスループットの低下を避けることが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱し、前記少なくとも2種類のポリマーを相分離させるステップと、前記少なくとも2種類のポリマーが相分離した前記ブロック共重合体の膜の表面の画像を取得するステップと、前記画像に基づいて、前記少なくとも2種類のポリマーが適切に相分離したか否かを判定するステップと、を含むパターン形成方法により上記の課題が達成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、 前記ブロック共重合体の膜を加熱し、前記少なくとも2種類のポリマーを相分離させるステップと、 前記少なくとも2種類のポリマーが相分離した前記ブロック共重合体の膜の表面の画像を取得するステップと、 前記画像に基づいて、前記少なくとも2種類のポリマーが適切に相分離したか否かを判定するステップと、 前記判定するステップにおいて肯定的な判定がなされた場合に、前記ブロック共重合体の膜中の前記少なくとも2種類のポリマーのいずれかを除去するステップと を含むパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/30 570 ,  H01L21/88 B
Fターム (3件)：
5F033QQ01 ,  5F033XX34 ,  5F146LA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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