特許
J-GLOBAL ID：200903081958219127
パターン基板,パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-317857
公開番号（公開出願番号）：特開2007-125699
出願日： 2005年11月01日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】高分子ブロック共重合体の自己組織化現象により、基板表面全面に欠陥やグレイン構造なく、表面の高さが均一なパターンを基板表面全面にパターニングした基板およびその製造方法を提供する。また、ナノインプリント用の微細金型、さらに磁気記録用パターン媒体を提供する。【解決手段】基板表面に凹形状部を作成し、凹形状部内部を含む基板表面全面に高分子ブロック共重合体の薄膜を製膜した後に、高分子ブロック共重合体の薄膜中にミクロ相分離構造を形成させる。しかる方法をとると、凹形状部内部のみならず、基板表面全面に略規則的なミクロ相分離構造を欠陥やグレイン構造なく形成でき、そのパターンを利用した基板や微細金型あるいは磁気記録用パターン媒体を提供できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ミクロ相分離構造を有する高分子ブロック共重合体の薄膜をベース基板の表面に有するパターン基板において、
前記ベース基板表面に凸凹形状を有し、該凹形状部分の深さが前記ミクロ相分離構造を構成するミクロドメインの最近接ミクロドメイン間距離aに対して、0.5a以上1.5a以下であり、前記高分子ブロック共重合体の薄膜が前記ベース基板の凹形状部分及び凸形状部分の表面に形成されていることを特徴とするパターン基板。
IPC (3件)：
B29C 33/38
, G11B 5/855
, B29C 33/42
B29C33/38
, G11B5/855
, B29C33/42
4F202AG05
, 4F202AH36
, 4F202AR12
, 4F202AR13
, 4F202CA30
, 4F202CB01
, 4F202CD02
, 4F202CD03
, 4F202CD04
, 5D112AA02
, 5D112AA19
, 5D112AA20
, 5D112BA09
, 5D112CC05
, 5D112GB01
, 5D112GB07
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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