特許
J-GLOBAL ID:201303053734361334
局所領域ナビゲーション用の高精度ビーム配置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
雨貝 正彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-113991
公開番号(公開出願番号):特開2012-255774
出願日: 2012年05月18日
公開日(公表日): 2012年12月27日
要約:
【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの(X軸またはY軸に沿った)1つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って(もう一方の方向に)、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。【選択図】図13
請求項(抜粋):
試料表面のセルのアレイ内の既知のセル・アドレスX,Yを有する対象のフィーチャへ高精度でビームを配置し、ナビゲートする方法であって、
粒子ビーム・システムに試料を装填することと、
前記アレイの前記対象のフィーチャを含む部分へナビゲートすること、
前記試料表面の前記対象のフィーチャの推定位置に近いある位置に、少なくとも1つのフィデューシャルを形成することと、
前記アレイのエッジに沿ったエッジ・ストリップの画像を得ることとを含み、前記エッジ・ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる十分に高い解像度を有し、前記エッジ・ストリップ画像の長さが少なくともセルX個分であり、前記エッジ・ストリップ画像が第1の画像内の視野よりも実質的に小さく、
画像データを解析して、前記アレイの前記エッジに沿ってX個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含む所望の列の位置を決定することと、
前記所望の列に沿って列ストリップ画像を得ることとをさらに含み、前記列ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる十分に高い解像度を有し、前記列ストリップ画像の長さが少なくともセルY個分であり、前記列ストリップ画像が前記第1の画像内の視野よりも実質的に小さく、前記列ストリップ画像が、少なくとも1つのフィデューシャルおよび前記対象のフィーチャを含み、
前記画像データを解析して、前記所望の列に沿ってY個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスX,Yの位置を決定することと、
前記少なくとも1つのフィデューシャルと前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスX,Yの前記位置との間のオフセットを決定することとを含む方法。
IPC (5件):
G01B 15/00
, H01L 21/027
, H01J 37/22
, H01L 21/66
, G01B 15/04
FI (5件):
G01B15/00 K
, H01L21/30 502V
, H01J37/22 502H
, H01L21/66 J
, G01B15/04 K
Fターム (26件):
2F067AA03
, 2F067BB21
, 2F067BB27
, 2F067CC17
, 2F067FF16
, 2F067GG08
, 2F067HH06
, 2F067HH08
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067PP12
, 2F067QQ02
, 2F067QQ03
, 2F067QQ11
, 2F067RR00
, 2F067RR12
, 2F067RR29
, 2F067SS02
, 2F067SS13
, 2F067TT01
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA02
, 4M106CA38
, 4M106DB30
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)