特許
J-GLOBAL ID：201303053837632204
バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-614486
特許番号：特許第4959872号
出願日： 2000年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】少なくとも1つの結晶性SiCの低ドープのドリフト層(7)を有するバイポーラトランジスタであって、
SiCの隣接するベース層(6)よりも伝導帯と価電子帯の間のエネルギーギャップが広いエミッタ層(2)を有し、
前記ベース層(6)は、第1の導電型によってドープされ、かつ、前記エミッタ層(2)及びコレクタ層(4)を物理的に隔離し、
前記エミッタ層(2)及び前記コレクタ層(4)は、逆の導電型である第2の導電型によってドープされ、
再結合抑制層(11,12)がベース接点電極(5)に隣接して配置され、
前記再結合抑制層(11,12)は、前記エミッタ層(2)から前記ベース層(6)内へ注入された少数電荷キャリアに対するエネルギー障壁を構成し、前記少数電荷キャリアの前記ベース接点電極における再結合を減少させ、
前記再結合抑制層(11,12)は、前記ベース接点電極(5)と前記ベース層(6)との間に介在する、
ことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/737 ( 200 6.01)
, H01L 21/331 ( 200 6.01)
