特許
J-GLOBAL ID：200903097514311926

シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチ

発明者：
シン,ランビアー

シン,ランビアー について

, 
パルモアー,ジョン・ダブリュー

パルモアー,ジョン・ダブリュー について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-546972
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522533
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：
【要約】上面及び下面を有する第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板を有するフィールド制御型バイポーラ・スイッチ。基板の上面上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第1エピタキシャル層が形成されている。シリコン・カーバイドの第1エピタキシャル層上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第2エピタキシャル層が形成されている。第2エピタキシャル層内に、第3導電型シリコン・カーバイドの複数の領域が形成され、第2エピタキシャル層内にゲート・グリッドを形成する。第2エピタキシャル層上に、第2導電型シリコン・カーバイドの第3エピタキシャル層が形成され、更に第3エピタキシャル層上に第2導電型シリコン・カーバイドの第4エピタキシャル層が形成されている。第4エピタキシャル層は、第1、第2及び第3エピタキシャル層におけるよりも、キャリア濃度が高い。第4エピタキシャル層上に第1オーミック・コンタクトが形成され、基板の下面上に第2オーミック・コンタクトが形成されている。オーミック・ゲート・コンタクトがゲート・グリッドに接続され、このオーミック・ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときに、第1オーミック・コンタクトと第2オーミック・コンタクトとの間の電流がピンチオフされる。
請求項（抜粋）：
高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチであって、 上面及び仮面を有する、第1導電型のバルク単結晶シリコン・カーバイド基板と、 前記基板の前記上面上にある、第2導電型シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層と、 前記シリコン・カーバイドからなる第1エピタキシャル層上に形成された、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第2エピタキシャル層と、 前記第2エピタキシャル層内に形成され、前記第2エピタキシャル層内にゲート・グリッドを形成する、第3導電型シリコン・カーバイドからなる複数の領域と、 前記第2エピタキシャル層上に形成された、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第3エピタキシャル層と、 前記第3エピタキシャル層上にあり、前記第2導電型シリコン・カーバイドからなる第4エピタキシャル層であって、前記第1エピタキシャル層、前記第2エピタキシャル層及び前記第3エピタキシャル層内におけるよりもキャリア濃度が高い第4エピタキシャル層と、 前記第4エピタキシャル層上にある第1オーミック・コンタクトと、 前記基板の前記下面上に形成された第2オーミック・コンタクトと、 前記ゲート・グリッドに接続されたオーミック・ゲート・コンタクトであって、バイアスが印加されたときに、前記第1オーミック・コンタクトと前記第2オーミック・コンタクトとの間の電流をピンチオフするオーミック・ゲート・コンタクトとを備えることを特徴とする高電圧高電流フィールド制御バイポーラ・スイッチ。
IPC (3件)：
H01L 29/74 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (2件)：
H01L 29/74 D ,  H01L 29/80 C
引用特許：
審査官引用 (15件)
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