特許
J-GLOBAL ID：201303053844608971
太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098878
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229378
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】 半導体基板上に量子ドット層を有する構成において光電変換効率を高めることのできる太陽電池を提供する。 【解決手段】 半導体基板1の主面3上に、複数個積み重ねられてなる量子ドット5aと、量子ドット5aを内包しているマトリックス5bとにより構成されてなる量子ドット層5を有する太陽電池であって、量子ドット5aは、球形状であるとともに、直径のばらつきが10%以内である。これにより量子ドット層5内において隣接する量子ドット5aによって形成される中間バンドBmのエネルギー準位がほとんど同じになり、量子ドット5a間の波動関数が重なりやすくなることから、量子ドット5aに生成された電子等のキャリアが量子ドット5a間をトンネルしやすくなり、その結果、キャリアの輸送効率を高めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に、複数個積み重ねられた量子ドットと、該量子ドットを内包しているマトリックスとにより構成されてなる量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドットは、球形状であるとともに、直径のばらつきが10%以内であることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB12
, 5F151CB13
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA13
, 5F151DA19
, 5F151GA04
