特許

J-GLOBAL ID：201303054443143077

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： 小見山 昌三 ,  船木 真一 ,  小池 慎也 ,  奥田 聖
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱伸銅株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-005053
特許番号：特許第5159963号
出願日： 2012年01月13日
要約：

【課題】アーク放電およびスプラッシュをより一層抑制することができる導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】Snを0.1〜1.5質量%含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、結晶粒の平均粒径が30μm以上120μm未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の20%以下である銀合金スパッタリングターゲットであり、溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより製造され、その熱間圧延工程では、1パス当りの圧下率が20〜50%でひずみ速度が3〜15/secの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が400〜650°Cで1パス以上含んでおり、冷却工程では、200〜1000°C/minの冷却速度にて急冷する。 【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

【請求項1】Agに固溶する元素であるSnを0.1〜1.5質量%含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が30μm以上120μm未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の20%以下であることを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C22C 5/06 ( 200 6.01) ,  B21B 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/26 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 5/06 Z ,  B21B 3/00 L ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 銀合金、スパッタリングターゲット、反射型LCD用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160051   出願人：株式会社フルヤ金属
• Ag系スパッタリングターゲット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-275621   出願人：株式会社神戸製鋼所, 株式会社コベルコ科研
• Ag合金スパッタリングターゲット材およびAg合金膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-130832   出願人：日立金属株式会社