特許
J-GLOBAL ID：200903044093776588
Ag合金スパッタリングターゲット材およびAg合金膜
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130832
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314717
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 電子デバイスに要求される低い電気抵抗と、耐熱性、耐食性、そして基板への密着性を兼ね備えたAg合金膜を安定的かつ大面積のFPD基板に均一に形成するための薄膜形成用のAg合金スパッタリングターゲット材およびそのAg合金スパッタリングターゲット材で形成するAg合金膜を提供する。【解決手段】 添加元素として、Siを0.1〜0.7原子%、Cuおよび/またはGeを合計で0.1〜1.0原子%含有し、残部不可避的不純物およびAgからなるスパッタリングターゲット材であって、Agを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが60HV以下であるAg合金スパッタリングターゲット材である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
添加元素として、Siを0.1〜0.7原子%、Cuおよび/またはGeを合計で0.1〜1.0原子%含有し、残部不可避的不純物およびAgからなるスパッタリングターゲット材であって、Agを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが60HV以下であることを特徴とするAg合金スパッタリングターゲット材。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4K029BC01
, 4K029BC05
, 4K029BD00
, 4K029DC04
, 4K029DC08
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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