特許
J-GLOBAL ID：201303055537549871
半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大谷 保
, 平澤 賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195514
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058577
出願日： 2011年09月07日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、半導体素子4が接続された半導体パッケージ1と、実装基板2とがはんだバンプ3を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ1は、半導体素子4が接続されるとともに実装基板2と接続される半導体パッケージ用配線板5を有し、半導体パッケージ用配線板5に形成された電極パッド22のコア層11側には第1応力緩和層21が配置されており、実装基板2に形成された電極パッド33の層間絶縁層31側には第2応力緩和層34が配置されており、第1応力緩和層21の25°Cの弾性率が2.5GPa以下であり、第2応力緩和層34の25°Cの弾性率が3GPa以下かつ第2応力緩和層34の平面方向の25°Cの熱膨張係数が8×10-6/°C以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子が接続された半導体パッケージと、実装基板とがはんだを介して電気的及び機械的に接続されてなる半導体装置であって、
該半導体パッケージは、
半導体パッケージ用層間絶縁層と、
該半導体パッケージ用層間絶縁層の表面に形成されており該はんだを介して該実装基板に電気的及び機械的に接続されるパッケージ側電極パッドと、
該パッケージ側電極パッドの該半導体パッケージ用層間絶縁層側に配置されており該パッケージ側電極パッドに接する第1応力緩和層と
を有し、
該実装基板は、
実装基板用層間絶縁層と、
該実装基板用層間絶縁層の表面に形成されており該はんだを介して該半導体パッケージに電気的及び機械的に接続される実装基板側電極パッドと、
該実装基板側電極パッドの該実装基板用層間絶縁層側に配置されており該実装基板側電極パッドに接する第2応力緩和層と
を有し、
該第1応力緩和層の25°Cの弾性率が2.5GPa以下であり、
該第2応力緩和層の25°Cの弾性率が3GPa以下かつ該第2応力緩和層の平面方向の25°Cの熱膨張係数が8×10-6/°C以下である半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 23/12
, H05K 3/46
H01L21/60 311Q
, H01L23/12 501Z
, H05K3/46 Q
5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA22
, 5E346AA25
, 5E346AA38
, 5E346CC04
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346EE33
, 5E346EE39
, 5E346FF04
, 5E346FF07
, 5E346HH11
, 5F044KK02
, 5F044KK11
, 5F044LL01
