磁気記憶素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (1件)：特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-521266
公開番号（公開出願番号）：特表2013-536574
出願日： 2011年07月21日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

本発明は、磁気書込み層を有する層の積層を備える書込み可能な磁気素子に関連し、積層は、中央層の平面に対して平行又は垂直である磁化の向きを有する少なくとも1つの磁性材料で作られる磁気書き込み層、すなわち、中央層13、53、70、23、63、80を備え、その中央層は、非磁性材料で作られる第1の外側層12、52、71、22、62と第2の中央層14、54、72、24、64、82とに挟まれていて、第1の外側層12、52、71、22、62は第1の非磁性材料を含み、第2の外側層14、54、72、24、64、82は、第1の非磁性材料とは別の第2の非磁性材料を含み、少なくとも第2の磁性材料は導電性であることを特徴とし、本素子は、書込み電流を第2の外側層及び中央層のみを通過させ、第1の外側層が導電性である場合、任意選択で第1の外側層のみを通過させるデバイスであって、上記書込み電流は中央層の平面に平行な電流の向きで巡回する、デバイスと、中央層13、53、70、23、63、80の平面と電流の向きとに平行又は垂直である1つの磁場の向きの成分を有する磁化を印加するデバイスとを備えることを特徴とし、磁化の向きと磁場の向きとは相互に垂直であることを特徴とする。【選択図】図1f

請求項（抜粋）：

書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子であって、前記積層は、少なくとも1つの磁性材料の中央層(13、53、70、23、63、80)であって、該少なくとも1つの磁性材料が該中央層の平面に対して平行又は垂直な磁化の向きを提供する、中央層を有し、該中央層は非磁性材料の第1の外側層(12、52、71、22、62)と第2の外側層(14、54、72、24、64、82)との間に挟まれ、前記第1の外側層(12、52、71、22、62)は第1の非磁性材料を含み、前記第2の外側層(14、54、72、24、64、82)は、第1の非磁性材料とは異なる第2の非磁性材料を含み、少なくとも前記第2の非磁性材料は導電性であることと、前記積層は、前記中央層の前記平面に対して並行な電流の向きにおいて前記第2の外側層と前記中央層とを通って電流を流すデバイスと、前記中央層(13、53、70、23、63、80)の前記平面と前記電流の向きとに対して平行又は垂直のいずれかである成分を有する磁場を磁場の向きに沿って印加するデバイスとを備えることと、前記磁化の向きと前記磁場の向きとは相互に垂直であることと、を特徴とする磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (33件)：

4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC01 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD47 , 4M119EE03 , 4M119KK05 , 5F092AA06 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092BB05 , 5F092BB31 , 5F092BB32 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB38 , 5F092BB39 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BE27 , 5F092FA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-154693 出願人：三星電子株式会社
メモリセル、ならびに、磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-270223 出願人：独立行政法人理化学研究所
磁性細線及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-226661 出願人：富士通株式会社

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