特許

J-GLOBAL ID：201003017350942170

メモリセル、ならびに、磁気メモリ素子

発明者： 福間 康裕 ,  楊 涛 ,  木村 崇 ,  大谷 義近
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (2件)： 木村 満 ,  石井 裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270223
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098259
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

【課題】スピン流を利用した磁化反転機構を利用したメモリセル等を提供する。【解決手段】メモリセル31は、平面状の非磁性体層16と、非磁性体層16の表面に設置され、磁化の向きが固定された強磁性体からなる強磁性体層12と、非磁性体層16の表面に設置され、磁化の向きが可変である強磁性体からなるフリー層15と、を備え、非磁性体層16と、強磁性体層12と、の間を流れる電流の向きを変化させて、非磁性体層16を流れるスピン流のスピン量子化軸を変えることでフリー層15の磁化の向きを変化させ、強磁性体層12の磁化の方向と、フリー層15の磁化の方向と、が、略平行であるか略反平行であるかにより、情報を記憶する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平面状の非磁性体層と、 前記非磁性体層の表面に設置され、磁化の向きが固定された強磁性体からなる強磁性体層と、 前記非磁性体層の表面に設置され、磁化の向きが可変である強磁性体からなるフリー層と、 を備え、前記非磁性体層と、前記強磁性体層と、の間を流れる電流の向きを変化させて、前記非磁性体層と前記強磁性体層との間を流れるスピン流のスピン量子化軸を変えることで、前記フリー層の磁化の向きを変化させ、 前記強磁性体層の磁化の方向と、前記フリー層の磁化の方向と、が、略平行であるか略反平行であるかにより、情報を記憶する ことを特徴とするメモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (27件)：

4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD01 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB46 ,  5F092BC03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,695,864号公報
  
• 磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350988   出願人：株式会社東芝
• 記憶素子、メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-340902   出願人：ソニー株式会社
• 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-002577   出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学