特許

J-GLOBAL ID：201003034374538380

磁性細線及び記憶装置

発明者： 落合 隆夫 ,  芦田 裕 ,  長坂 恵一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226661
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062342
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図る。【解決手段】面内磁気異方性を有する第1磁性膜102が、垂直磁気異方性を有する第2磁性膜104と磁気的に結合することにより、垂直磁気異方性を有するようになるので、第1磁性膜102の一軸磁気異方性(Ku)を大きくすることができ、かつ、磁壁幅(λ)の狭小化、磁壁電流駆動に要する閾値電流密度(JC)の減少、ひいては、磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図ることが可能となる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

面内磁気異方性を有する第1磁性膜と、 前記第1磁性膜に磁気的に結合した、垂直磁気異方性を有する第2磁性膜と、を備え、 前記第1磁性膜の磁壁幅は、前記第2磁性膜との結合により、前記第1磁性膜単独の場合よりも狭く制御されていることを特徴とする磁性細線。

IPC (8件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/32 ,  G11C 11/15

FI (7件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/13 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 112

Fターム (32件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  5E049AA04 ,  5E049BA05 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC41 ,  5F092BE06 ,  5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,834,005号明細書
  
• 磁気記憶装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-151180   出願人：富士通株式会社
• 磁気メモリ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-149535   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-146135   出願人：富士通株式会社