特許

J-GLOBAL ID：201303056662115081

シリンダ型キャパシタ及びシリンダ型キャパシタの製造方法

発明者： 難波 修
出願人/特許権者： OKIセミコンダクタ株式会社
代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031212
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237570
特許番号：特許第4731025号
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下部電極が下部電極底部と下部電極側壁部とを有しており、該下部電極がシリンダ状に形成されているシリンダ型キャパシタにおいて、 前記下部電極底部の内側表面上、前記下部電極側壁部の外側表面上、及び前記下部電極側壁部の内側表面上のうち前記下部電極底部の内側表面から所定の高さ以上離れた領域に、粗面状電極膜が形成されていることを特徴とするシリンダ型キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01G 4/005 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 1/005 ,  H01L 27/10 621 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• キャパシタの下位電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146282   出願人：聯誠積體電路股ふん有限公司
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351210   出願人：三菱電機株式会社