特許
J-GLOBAL ID：201303056684666227
成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124674
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319581
特許番号：特許第4754087号
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体上に多元系金属酸化物薄膜を生成する成膜方法であって、
多元系金属酸化物薄膜の結晶核を生成するために、固体昇華法により結晶核原料ガスを生成して、内部を第1の圧力に設定した処理チャンバに前記結晶核原料ガスを供給する核付け工程と、
前記結晶核上に前記多元系金属酸化物薄膜の結晶を成長させるために、流量が制御されたキャリアガスを供給して溶液気化法により所定の混合比率の原料混合ガスを生成し、内部を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力に設定した処理チャンバに前記原料混合ガスを供給する成膜工程と
を含み、
前記第1の圧力は100mTorr以下であり、前記第2の圧力は100mTorr以上1000mTorr以下であることを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 21/31 B
, C23C 16/40
, C23C 16/455
, H01L 21/316 X
