特許
J-GLOBAL ID：201303057562987223

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
奥田 和幸

奥田 和幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-181859
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093551
出願日： 2012年08月20日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：
【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に対して原料ガスを供給する工程と、 前記基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、 前記基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、 前記基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、 を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/34
Fターム (45件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045DC64 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19 ,  5F045EK06 ,  5F045GB15 ,  5F058BA08 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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