特許
J-GLOBAL ID：200903087975004264

シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム

発明者：
松浦 廣行

松浦 廣行 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-092353
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278497
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】 まず、反応管2内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハWにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管2内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管2内を40Pa〜100Paに設定し、この設定した反応管2内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハWにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、当該被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成する反応物形成工程と、 前記反応物に含まれる塩素を除去し水素化する塩素除去工程と、 前記反応室内にアンモニアラジカルを供給して前記反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を備え、 前記反応物形成工程と、前記塩素除去工程と、前記シリコン窒化膜形成工程とを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 E
Fターム (16件)：
4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030EA11 ,  4K030EA12 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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