特許
J-GLOBAL ID:201303060224584114

研磨パッド及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫 ,  市川 さつき
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-044489
公開番号(公開出願番号):特開2013-182952
出願日: 2012年02月29日
公開日(公表日): 2013年09月12日
要約:
【課題】シリコンカーバイド(SiC)等の化合物半導体の研磨において、研磨後の被研磨物表面のスクラッチ(キズ)を短時間に消去できる研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨布基体に樹脂を含浸させてなる研磨パッドであって、前記樹脂が、乾燥後の樹脂全質量に対して、0.5〜18質量%の導電性微粒子を含むことを特徴とする、研磨パッド。【選択図】なし
請求項(抜粋):
研磨布基体に樹脂を含浸させてなる研磨パッドであって、前記樹脂が、乾燥後の樹脂全質量に対して、0.5〜18質量%の導電性微粒子を含むことを特徴とする、研磨パッド。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/24
FI (4件):
H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622W ,  B24B37/00 R ,  B24B37/00 L
Fターム (15件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17 ,  5F057AA03 ,  5F057AA24 ,  5F057BA12 ,  5F057BB09 ,  5F057CA11 ,  5F057DA02 ,  5F057EB04 ,  5F057EB09 ,  5F057EB30
引用特許:
審査官引用 (5件)
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