特許
J-GLOBAL ID:201303060224584114
研磨パッド及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 箱田 篤
, 浅井 賢治
, 山崎 一夫
, 市川 さつき
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-044489
公開番号(公開出願番号):特開2013-182952
出願日: 2012年02月29日
公開日(公表日): 2013年09月12日
要約:
【課題】シリコンカーバイド(SiC)等の化合物半導体の研磨において、研磨後の被研磨物表面のスクラッチ(キズ)を短時間に消去できる研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨布基体に樹脂を含浸させてなる研磨パッドであって、前記樹脂が、乾燥後の樹脂全質量に対して、0.5〜18質量%の導電性微粒子を含むことを特徴とする、研磨パッド。【選択図】なし
請求項(抜粋):
研磨布基体に樹脂を含浸させてなる研磨パッドであって、前記樹脂が、乾燥後の樹脂全質量に対して、0.5〜18質量%の導電性微粒子を含むことを特徴とする、研磨パッド。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L21/304 622F
, H01L21/304 622W
, B24B37/00 R
, B24B37/00 L
Fターム (15件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB10
, 3C058DA17
, 5F057AA03
, 5F057AA24
, 5F057BA12
, 5F057BB09
, 5F057CA11
, 5F057DA02
, 5F057EB04
, 5F057EB09
, 5F057EB30
引用特許:
審査官引用 (5件)
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研磨用パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-258702
出願人:東レ株式会社
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研磨パッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-156027
出願人:三井化学株式会社
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研磨布
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-276660
出願人:株式会社FILWEL
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