特許
J-GLOBAL ID：201303061507100934

不揮発性メモリ、不揮発性メモリの制御方法、及びICカード

発明者：
松田 有希

松田 有希 について

, 
小田 忠試

小田 忠試 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524153
特許番号：特許第4726033号
出願日： 2000年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電源端子と、グランド端子と、複数の不揮発性記憶素子と、制御回路と、前記電源端子に供給される電源電圧を昇圧する昇圧回路と、異なる周波数の複数のクロック信号を生成するクロック発生回路と、設定回路とを有し、前記複数の不揮発性記憶素子のバックゲートが接続されるウェル領域が複数に分割され、前記昇圧回路で生成された高電圧が前記不揮発性記憶素子のバックゲートに印加されることで書込みまたは消去が行なわれるとともに、前記メモリセルの消去時に前記高電圧を印加するウェル領域の数により上記昇圧回路の負荷の大きさが異なる不揮発性メモリにおいて、 前記昇圧回路は、消去時の昇圧速度が、前記高電圧を印加するウェル領域の数に関わらず、負荷が大きい場合の昇圧速度にほぼ等しくなるように前記複数のクロック信号の1つを選択するように構成されると共に、 上記不揮発性記憶素子に記憶するデータの書換えにおいて、書換え耐性をデータ保証時間より優先する場合は上記昇圧速度を負荷が大きい場合の昇圧速度より低くし、データの保証時間をデータの書換え耐性より優先する場合は上記昇圧速度を負荷が大きい場合の昇圧速度より高くするよう、外部から前記設定回路に設定された情報に基づき、前記選択された1つのクロック信号とは異なる周波数のクロック信号へ変更可能とされていることを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (5件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G06K 19/07 ( 200 6.01) ,  H02M 3/07 ( 200 6.01)
FI (8件)：
G11C 17/00 632 A ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 621 Z ,  G11C 17/00 621 B ,  G06K 19/00 N ,  G06K 19/00 J ,  H02M 3/07
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平2-123599
  • 特開平2-123599
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296075   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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