特許
J-GLOBAL ID：201303061663929515
多層結晶構造体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 言上 惠一
, 吉田 環
, 新免 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-116607
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175787
出願日： 2013年06月03日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】例えば、全体のハンドルウエハを研削または腐食して除去する必要がある場合に、プロセスは、時間浪費および高コストの両方になり得る。【解決手段】本発明は、概して、多層構造体の製造プロセスに関する。プロセスは、イオンをドナー構造体に注入し、注入されたドナー構造体を第2構造体に結合して、結合構造体を形成し、結合構造体を離層し、およびドナー構造体の全ての残留部分を、最終的な多層結晶構造体から除去することを含む。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
多層結晶構造体の製造方法であって、該方法が:
水素、ヘリウムおよびそれらの組合せから成る群から選択したイオンをドナー構造体内に注入し、
該ドナー構造体が、中央軸と、中央軸に対してほぼ垂直である注入表面およびデバイス表面を有するデバイス層であって、デバイス層の注入表面からデバイス表面まで軸方向に延在している平均厚さ(t)を有するデバイス層と、ハンドル層と、デバイス層とハンドル層との間においてドナー構造体の中央軸に沿って配置した中間層と、を含んでおり、
イオンを、注入表面を通過してデバイス層の厚さ(t)よりも大きい注入深さD1まで、ドナー構造体内に注入して、注入したドナー構造体内に損傷層を形成し、該損傷層が、軸に対してほぼ垂直であり、および中間層および/またはハンドル層に位置しており;
注入したドナー構造体を第2構造体に結合して、結合構造体を形成し;
損傷層に沿ってドナー構造体を離層して、第2構造体とデバイス層と残留材料とを含む多層結晶構造体を形成し、該残留材料が、中間層の少なくとも一部分と必要に応じてハンドル層の一部分とを含み;および
残留材料を多層結晶構造体から除去する、
多層結晶構造体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
