特許
J-GLOBAL ID：200903057836203094
SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329507
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145438
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 単結晶シリコンウエーハと絶縁基板とを結合する際に、熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等が発生せず、また、各種テ ゙ハ ゙イス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高いSOI 層(活性シリコン層)を持つSOIウエーハ とその製造方法を提供する。【解決手段】 下記工程順に水素イオン 注入、多段熱処理、薄膜化及び剥離処理してなるSOIウエーハ の製造方法。(1) 単結晶シリコンウエーハの SOI層側から水素イオン を注入。(2) 単結晶シリコンウエーハのSOI 層側の面と絶縁基板を室温で密着。(3)100〜300 °Cで熱処理して仮接合。(4) 単結晶シリコン層をアルカリエッチンク ゙ で厚さ 100〜250 μmにする。(5)350〜 450°Cで熱処理して本接合。(6) 単結晶シリコン層を研削、研磨して50μm以下の厚さにする。(7)500°C以上に加熱して水素イオン 注入層を劈開面として剥離し、単結晶シリコン層の厚さを 0.5μm以下のSOI 層にする。(8) SOI 層表面を鏡面研磨。(9)800°C以上の熱処理を加えて結合強度を高める。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンウエーハを絶縁基板に密着させ、シリコン層を剥離してSOI層を形成することによりSOIウエーハを製造する方法において、下記工程順に水素イオン注入処理、多段熱処理、薄膜化処理及び剥離処理をすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。(1)単結晶シリコンウエーハのSOI層となる側の面から水素イオンまたは希ガスイオンをI/Iで注入する。(2)単結晶シリコンウエーハのイオン注入面と絶縁基板を室温で密着させる。(3)100〜300°Cで熱処理して仮接合させる。(4)単結晶シリコン層をアルカリエッチングで厚さ100〜250μmにする。(5)350〜450°Cで熱処理して本接合させる。(6)単結晶シリコン層を研削、研磨して50μm以下の厚さにする。(7)500°C以上に加熱してイオン注入層を劈開面として剥離し、単結晶シリコン層の厚さを0.5μm以下のSOI層にする。(8)SOI層表面を鏡面研磨する。(9)800°C以上の熱処理を加えて結合強度を高める。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/306
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/306 B
