特許
J-GLOBAL ID：200903076401440285
ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-540206
公開番号（公開出願番号）：特表2004-513517
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
本発明の方法は、ターゲット基板(15)に結合された少なくとも一の薄層を備えた積層構造を作製する方法において、(a)初期基板(1)から始めて薄層(7)を形成する段階であって、この薄層(7)は第1の接触面と称する自由面(8)を有するものであるところの段階と、(b)第1の接触面を介在支持体(10)の面(11)に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の初期基板の薄化と両立するものであるところの段階と、(c)第2の接触面と称する薄層の自由面(14)でありかつ第1の接触面(8)の反対側の面を露出するために、前記初期基板(1)を薄化する段階と、(d)ターゲット基板(15)の面を第2の接触面(14)の少なくとも一部に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の介在支持体の全て又はその一部の除去と両立するものであるところの段階と、(e)前記積層構造を得るために介在支持体(10)の少なくとも一部を除去する段階と、を備える。
請求項（抜粋）：
ターゲット基板(15)に結合された少なくとも一の薄層を備えた積層構造を作製する方法において、
a)初期基板(1)から始めて薄層(7)を形成する段階であって、この薄層(7)は第1の接触面と称する自由面(8)を有するものであるところの段階と、
b)第1の接触面を介在支持体(10)の面(11)に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の初期基板の薄化と両立するものであるところの段階と、
c)第2の接触面と称する薄層の自由面(14)であってかつ第1の接触面(8)の反対側の面である自由面を露出するために、前記初期基板(1)を薄化する段階と、
d)ターゲット基板(15)の面を第2の接触面(14)の少なくとも一部に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の介在支持体の全て又はその一部の除去と両立するものであるところの段階と、
e)前記積層構造を得るために介在支持体(10)の少なくとも一部を除去する段階と、を備えた方法。
IPC (3件)：
H01L21/02
, H01L21/265
, H01L27/12
H01L21/02 B
, H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
