特許
J-GLOBAL ID：201303063048282636
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-084913
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214661
出願日： 2012年04月03日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】トレンチの底部の電界緩和層とソース電極との接続を行う接続層の形成のための工程を別途行わなくても済むようにする。【解決手段】トレンチ6の一方の先端面がオフ方向に対して垂直な面、つまり基板表面に対して傾斜した面となるようにしつつ、電界緩和層7を基板垂直方向からのイオン注入によって形成する。これにより、トレンチ6の底部に底部p型層7aを形成できると同時に基板表面に対して傾斜した面にもイオン注入が為され、先端p型層7bを形成できる。したがって、p型ベース領域3やp+型コンタクト層5を介して底部p型層7aをソース電極11に接続するための接続層としての先端p型層7bを底部p型層7aと同時に形成することができる。このため、先端p型層7bの形成のための工程を別途行わなくても済むし、斜めイオン注入のような煩雑なイオン注入を行わなくても良い。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1または第2導電型の炭化珪素基板(1)の主表面上に形成された炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)上に、炭化珪素からなる第2導電型のベース領域(3)が形成されていると共に、前記ベース領域の上に炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(4)が形成された半導体基板が用いられており、前記ベース領域よりも深いトレンチ(6)内にゲート絶縁膜(8)が形成されていると共に該ゲート絶縁膜上にゲート電極(9)が形成されることでトレンチゲート構造が構成され、前記ソース領域および前記ベース領域に対して電気的に接続されたソース電極(11)および前記炭化珪素基板の裏面に電気的に接続されたドレイン電極(12)を有する半導体スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板として、一方向をオフ方向とするオフ角を有したオフ基板を用意する工程と、
エッチングにより、前記オフ方向を長手方向とするライン状、かつ、前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する形状であり、前記長手方向における両先端面のうちの一方の先端面が前記オフ方向に対して垂直で、かつ、前記半導体基板の主表面に対して傾斜した面となるように前記トレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記半導体基板の主表面に対する垂直方向から第2導電型不純物をイオン注入することにより、前記トレンチの底部および前記一方の先端面に第2導電型不純物を注入し、前記トレンチの底部に位置する底部層(7a)および前記一方の先端面に位置する先端層(7b)とを有する第2導電型の電界緩和層(7)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 652J
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
