特許
J-GLOBAL ID：200903029657793926

トレンチMOS型炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
辻 崇

辻 崇 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-188804
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016747
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【目的】トレンチ底部に設けられるp+層をアース電位にする必要のあるMOS構造の炭化珪素半導体装置の場合でも、前記トレンチ底部p+層に導電接続される電極膜形成を新たに必要とせず、オン抵抗も小さくすることのできるトレンチMOS型炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること【構成】第一導電型半導体基板上にこの順に積層される第一導電型ドリフト層、第二導電型ベース層、第一導電型ソース層と、該第一導電型ソース層の表面から前記ドリフト層に達するストライプ状トレンチと、該トレンチ底部には第二導電型層を備えるトレンチMOS型炭化珪素半導体装置において、前記トレンチ底部の第二導電型層と前記第二導電型ベース層とがストライプ状トレンチ両端のトレンチ幅方向の側壁面に設けられる第二導電型領域により導電接続されているトレンチMOS型炭化珪素半導体装置とする。【選択図】 図4-1
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板上にこの順に積層される第一導電型ドリフト層、第二導電型ベース層、第一導電型ソース層と、該第一導電型ソース層の表面から前記ドリフト層に達するストライプ状トレンチと、このストライプ状トレンチ側壁にはゲート酸化膜を介してゲート電極を有し、該トレンチ底部には第二導電型層を備えるトレンチMOS型炭化珪素半導体装置において、前記トレンチ底部の第二導電型層と前記第二導電型ベース層とがストライプ状トレンチの少なくとも一端のトレンチ幅方向の側壁面に設けられる第二導電型領域により導電接続されていることを特徴とするトレンチMOS型炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652K
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特許第3711906号
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-272955   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社デンソー
  • 高耐圧半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-076252   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (6件)
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