特許

J-GLOBAL ID：201303063248599278

記憶装置及び信号処理回路

発明者： 石津 貴彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112344
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008437
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】電源の供給を停止しても、記憶している論理状態が消えない記憶装置を提供する。また、該記憶装置を用いることで、電源供給停止により消費電力を抑えることができる信号処理回路を提供する。【解決手段】第1及び第2のノードを有する論理回路と、第1のノードに接続された第1の記憶回路と、第2のノードに接続された第2の記憶回路と、第1のノード、第2のノード、第1の記憶回路、及び第2の記憶回路に接続されたプリチャージ回路と、を有し、読み出しの際に、プリチャージ回路は、プリチャージ電位を第1のノード及び第2のノードに出力し、第1の記憶回路及び第2の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを含む記憶装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1及び第2のノードを有する論理回路と、 前記第1のノードに接続された第1の記憶回路と、 前記第2のノードに接続された第2の記憶回路と、 前記第1のノード、前記第2のノード、前記第1の記憶回路、及び前記第2の記憶回路に接続されたプリチャージ回路と、 を有し、 前記第1の記憶回路及び前記第2の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタ及び容量素子を有し、 前記プリチャージ回路は、プリチャージ電位を前記第1のノード及び前記第2のノードに出力する記憶装置。

IPC (11件)：

G11C 11/412 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  G11C 11/41 ,  H01L 27/088

FI (11件)：

G11C11/40 301 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 681F ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321G ,  G11C11/40 Z ,  H01L27/08 102E

Fターム (82件)：

5B015HH05 ,  5B015JJ03 ,  5B015JJ05 ,  5B015JJ07 ,  5B015JJ43 ,  5B015KA10 ,  5B015KA13 ,  5B015KA33 ,  5B015MM09 ,  5B015QQ11 ,  5B015QQ16 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048CB01 ,  5F048DA25 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083BS05 ,  5F083BS17 ,  5F083BS27 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA11 ,  5F083PR01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 状態保持回路を具備する集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267432   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258275   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-239730   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-110896   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 記憶装置及び信号処理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-112276   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-366495
  
• 特開平4-367120