特許
J-GLOBAL ID：201303063982182271
TGG単結晶育成におけるシーディング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-194902
公開番号（公開出願番号）：特開2013-056785
出願日： 2011年09月07日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)を主成分とする常磁性ガーネット結晶(組成式Tb3Ga5O12)をチョクラルスキー法によって容易に製造できるTGG単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。【解決手段】Cz法(回転引き上げ法)により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、TGGと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が1750°C以上、かつTGGとの格子定数差が±3%以下である結晶を用いることを特徴とするTGG単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Cz法によって結晶を引き上げる際に、融点及びTGGとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なTGG結晶が育成できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Cz法(回転引き上げ法)により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)単結晶育成におけるシーディング方法において、
種結晶として、TGGと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が1750°C以上、かつTGGとの格子定数差が±3%以下である結晶を用いることを特徴とするTGG単結晶育成におけるシーディング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BC23
, 4G077CF10
, 4G077EA06
, 4G077EA07
, 4G077ED01
, 4G077EH06
, 4G077HA01
, 4G077PA03
, 4G077PA04
, 4G077PF51
, 4G077PJ01
, 4G077PJ04
