特許
J-GLOBAL ID：201303064042223898

トランジスタ型センサ、およびトランジスタ型センサの製造方法

発明者：
甕 克行

甕 克行 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-277524
公開番号（公開出願番号）：特開2013-127428
出願日： 2011年12月19日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】本発明は、イオン濃度の高精度な測定が可能なトランジスタ型センサ、およびトランジスタ型センサの製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成された半導体層、ならびに上記半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタ部と、絶縁性材料を含むイオン感応膜を少なくとも有するセンサ部とを有し、上記イオン感応膜の表面における電気特性の変化を、上記トランジスタ部で検出するトランジスタ型センサであって、上記イオン感応膜の表面粗さがRa=6.5nm以上であることを特徴とするトランジスタ型センサを提供することにより上記課題を解決するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材と、 前記基材上に形成された半導体層、ならびに前記半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタ部と、 絶縁性材料を含むイオン感応膜を少なくとも有するセンサ部とを有し、 前記イオン感応膜の表面における電気特性の変化を、前記トランジスタ部で検出するトランジスタ型センサであって、 前記イオン感応膜の表面粗さがRa=6.5nm以上であることを特徴とするトランジスタ型センサ。
IPC (1件)：
G01N 27/414
FI (1件)：
G01N27/30 301V
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM