化合物半導体装置の製造方法、基板評価装置及び基板評価方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-255318
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110319
出願日： 2011年11月22日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。【解決手段】偏光レーザ12によりSiC基板1の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部13によりSiC基板1からの発光を検出し、表示部14によりSiC基板1の発光強度の面内分布を得て、SiC基板1の窒素混入量を評価した後、SiC基板1の上方に化合物半導体積層構造2を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板に偏光レーザ光を照射し、前記基板からの発光を検出し、前記基板の発光強度の面内分布を得て、前記基板の窒素混入量を評価する工程と、前記基板の上方に化合物半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G01N 21/64 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/66 L , G01N21/64 Z , H01L29/80 H , H01L29/78 301B

Fターム (75件)：

2G043AA03 , 2G043BA07 , 2G043CA05 , 2G043DA06 , 2G043EA01 , 2G043FA01 , 2G043GA04 , 2G043GB03 , 2G043KA03 , 2G043KA07 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106BA06 , 4M106CA10 , 4M106CA19 , 4M106CB02 , 4M106DH32 , 5F102FA09 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC19 , 5F140AA30 , 5F140AA37 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA04 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF43 , 5F140BH07 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140CB03 , 5F140CB04 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (2件)

高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-256303 出願人：ノーステルエービー
フォトルミネッセンス測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-064578 出願人：住友金属鉱山株式会社

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