半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-143912
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012568
出願日： 2011年06月29日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】リセスの下部に形成され不純物の注入量が異なる複数の領域を備える電界緩和層(リサーフ層)を備える半導体装置において、製造工程数の増加を抑えつつ、ディッシングの発生を防止する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子の外周領域であるPウェル2の外縁部に形成されたP型のリサーフ層10を備える。リサーフ層10は、P型不純物が第1面密度で注入された第1リサーフ領域11と、第1リサーフ領域11の外側に配設され、P型不純物が第1面密度よりも小さい第2面密度で注入された第2リサーフ領域12と、第2リサーフ領域12の外側に配設され、P型不純物が第2面密度よりも小さい第3面密度で注入された第3リサーフ領域13とを含む。このうち第1リサーフ領域11および第3リサーフ領域13は、半導体層の上面に形成されたリセス11r,13rの下に形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層の上面部に形成された第2導電型の電界緩和層とを備え、前記電界緩和層は、第2導電型不純物が第1面密度で注入された第1領域と、第2導電型不純物が前記第1面密度よりも小さい第2面密度で注入された第2領域と、第2導電型不純物が前記第2面密度よりも小さい第3面密度で注入された第3領域とを含み、前記第2領域は、前記第1領域と前記第3領域の間に配設され、前記第1領域および前記第3領域は、前記半導体層の上面に形成されたリセスの下に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/06 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12

FI (9件)：

H01L29/06 301G , H01L29/48 E , H01L29/06 301F , H01L29/78 652P , H01L29/78 658A , H01L29/78 658G , H01L29/78 301D , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F

Fターム (29件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104FF10 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104HH18 , 5F140AA00 , 5F140AA15 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA04 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BD18 , 5F140BH07 , 5F140BH15 , 5F140BH30 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140CB08 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC10 , 5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (4件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065350 出願人：株式会社東芝
電圧吸収端部を有するpn接合を含むSiC半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-510194 出願人：アセアブラウンボベリアクチボラグ
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-002286 出願人：株式会社デンソー

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