特許
J-GLOBAL ID：201303065476934420

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
竹田 剛

竹田 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志 ,  宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186394
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102130
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板を処理室内に収容する工程と、 加熱された前記処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して前記基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、 前記シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程では、 前記処理室内へ前記有機シリコン系ガスを供給して、前記有機シリコン系ガスを前記処理室内に封じ込める工程と、 前記有機シリコン系ガスを前記処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、 前記処理室内を排気する工程と、 を含むサイクルを所定回数行う半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455
FI (5件)：
H01L21/314 Z ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455
Fターム (47件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF11 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EC02 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC12 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 誘電体膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-056413   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055490   出願人：三井造船株式会社
  • 縦型半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-107067   出願人：株式会社日立国際電気
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審査官引用 (4件)
  • 誘電体膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-056413   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055490   出願人：三井造船株式会社
  • 縦型半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-107067   出願人：株式会社日立国際電気
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