特許
J-GLOBAL ID：201303066129084110

内部抵抗検出回路、及び電池電源装置

発明者：
朝倉 淳

朝倉 淳 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  小谷 昌崇 ,  大西 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-217633
公開番号（公開出願番号）：特開2013-076668
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】二次電池の内部抵抗値の検出精度を向上することができる内部抵抗検出回路、及び電池電源装置を提供する。【解決手段】内部抵抗検出回路は、二次電池Bの電流と電圧とに基づいて、二次電池Bの抵抗値を算出する個別抵抗算出部103と、二次電池Bの充電状態及び温度と、内部抵抗値とを対応付けて記憶する記憶部107と、二次電池Bの充電状態と温度とに対応して記憶部107に記憶されている内部抵抗値と、個別抵抗算出部103によって算出された抵抗値との比を倍率として算出する倍率算出部112と、二次電池BのSOCと温度と、に対応付けて記憶部107に記憶されている内部抵抗値に、前記倍率を乗算することにより得られた乗算値を、二次電池Bの内部抵抗値として取得する内部抵抗値取得部113とを備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
二次電池に流れる電流を検出する電流検出部と、 前記二次電池の電圧を検出する電圧検出部と、 前記二次電池の温度を検出する温度検出部と、 前記二次電池の充電状態を検出する充電状態検出部と、 前記電流検出部により検出された電流と前記電圧検出部により検出された電圧とに基づいて、前記二次電池の抵抗値を算出する個別抵抗算出部と、 前記二次電池の充電状態及び温度と、前記二次電池の内部抵抗値とを対応付けて予め記憶する記憶部と、 前記個別抵抗算出部によって前記抵抗値が算出された前記二次電池の充電状態と温度とに対応して前記記憶部に記憶されている内部抵抗値と、前記個別抵抗算出部によって算出された抵抗値との比を倍率として算出する倍率算出部と、 前記抵抗算出部によって前記抵抗値が算出された後に前記充電状態検出部によって検出された充電状態と前記温度検出部によって検出された温度と、に対応付けて前記記憶部に記憶されている内部抵抗値に、前記倍率を乗算することにより得られた乗算値を、前記二次電池の内部抵抗値として取得する内部抵抗値取得部と を備える内部抵抗検出回路。
IPC (5件)：
G01R 31/36 ,  H01M 2/10 ,  H01M 10/44 ,  H01M 10/48 ,  H02J 7/00
FI (6件)：
G01R31/36 A ,  H01M2/10 E ,  H01M10/44 P ,  H01M10/48 P ,  H01M10/48 301 ,  H02J7/00 Q
Fターム (30件)：
2G016CB06 ,  2G016CB12 ,  2G016CB21 ,  2G016CB31 ,  2G016CC03 ,  2G016CC04 ,  2G016CC07 ,  2G016CC13 ,  2G016CC27 ,  2G016CC28 ,  2G016CF06 ,  5G503CA01 ,  5G503CA11 ,  5G503CB11 ,  5G503EA05 ,  5G503EA09 ,  5H030AS08 ,  5H030AS11 ,  5H030AS14 ,  5H030BB01 ,  5H030BB21 ,  5H030FF22 ,  5H030FF41 ,  5H030FF42 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44 ,  5H040AS07 ,  5H040AS13 ,  5H040AS14 ,  5H040AY08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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