特許
J-GLOBAL ID：201303067183597332
インパルス電圧発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
菊池 治
, 井澤 彪
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278820
公開番号（公開出願番号）：特開2013-132109
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】安定したインパルス電圧を繰り返し発生させる期間と、インパルス電圧を発生させない期間とを交互に行う試験を実現する。【解決手段】高電圧発生器13は高電圧HVDCを発生する。信号発生器33は、1周期がパルス供給期間およびパルス休止期間を含む期間設定信号と、その周波数が期間設定信号の周波数よりも高いインパルス繰り返し周波数であり、かつ、その振幅値が高電圧HVDCの値よりも低い電圧値を表すパルス信号とを重ね合わせて、パルス信号がパルス供給期間にのみ発生する合成信号を生成する。半導体スイッチ40は、合成信号の電圧値がゲート設定電圧値よりも低いときに高電圧発生器13からの高電圧HVDCにより容量素子16に電荷を蓄積させ、合成信号の電圧値がゲート設定電圧値以上であるときに、容量素子16から放出される電荷により高電圧HVDCの値をピーク値とするインパルス電圧を発生する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高電圧を発生する高電圧発生器と、
容量素子と、
その1周期がパルス供給期間および前記パルス供給期間の後のパルス休止期間を含む期間設定信号と、その周波数が前記期間設定信号の周波数よりも高いインパルス繰り返し周波数であり、かつ、その振幅値が前記高電圧の値よりも低い電圧値を表すパルス信号とを重ね合わせて、前記パルス信号が前記パルス供給期間にのみ発生する合成信号を生成する信号発生器と、
前記合成信号の電圧値が予め設定されたゲート設定電圧値よりも低いときに前記高電圧発生器からの前記高電圧により前記容量素子に電荷を蓄積させ、前記合成信号の電圧値が前記ゲート設定電圧値以上であるときに、前記容量素子に蓄積された電荷を放出させ、前記容量素子から放出される電荷により前記高電圧の値をピーク値とするインパルス電圧を発生し、負荷が設けられた第1出力端子と第2出力端子との間に前記インパルス電圧を供給する半導体スイッチと、
を具備することを特徴とするインパルス電圧発生装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5H790BB03
, 5H790CC01
, 5H790EA01
, 5H790EA12
, 5H790EB10
