特許
J-GLOBAL ID:201303067522835400

基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡邉 勇 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-267106
公開番号(公開出願番号):特開2013-201418
出願日: 2012年12月06日
公開日(公表日): 2013年10月03日
要約:
【課題】液処理の際に、疎水性の性状を有する基板の表面を処理液で完全に濡れた状態にしておくことで、ウォーターマークの発生を抑制できるようにする。【解決手段】略水平に回転させた基板の表面の略中心に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、基板表面に供給されて保持される処理液の該表面に対する接触角に対応した、基板表面に保持される処理液の液切れまたは部分的な乾燥を防止できる基板の回転速度と基板表面への処理液の供給流量との関係から、基板の回転速度と基板表面への処理液の供給流量を決定し、決定された回転速度で基板を回転させながら、決定された流量の処理液を基板表面の略中心に供給する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
略水平に回転させた基板の表面の略中心に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、 基板表面に供給されて保持される処理液の該表面に対する接触角に対応した、基板表面に保持される処理液の液切れまたは部分的な乾燥を防止できる基板の回転速度と基板表面への処理液の供給流量との関係から、基板の回転速度と基板表面への処理液の供給流量を決定し、 決定された回転速度で基板を回転させながら、決定された流量の処理液を基板表面の略中心に供給することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (3件):
H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/30 572B
Fターム (16件):
5F146MA06 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC26 ,  5F157BB22 ,  5F157BC19 ,  5F157CB01 ,  5F157CB13 ,  5F157CD31 ,  5F157CD41 ,  5F157CE07 ,  5F157CE32 ,  5F157CE42 ,  5F157CE82 ,  5F157DB37
引用特許:
審査官引用 (1件)

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