特許
J-GLOBAL ID：201303067786219995

半導体装置

発明者：
鷹巣 博昭

鷹巣 博昭 について

, 
小山内 潤

小山内 潤 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313927
特許番号：特許第4717246号
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】MOS型トランジスタと、抵抗体とを有する半導体装置において、前記抵抗体は、P型の半導体で形成されたP型抵抗体と、N型の半導体で形成されたN型抵抗体とが絶縁膜を介して隣接し配置されて成り、前記P型抵抗体は低電位側に、前記N型抵抗体は高電位側に配置されており、レーザービーム等を前記絶縁膜部に照射することにより、絶縁性を破壊して導通を可能にすることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035316   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
  • 特開昭52-097688
  • 特開昭62-154641
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