半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051072
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】多層の抵抗からなるラダー抵抗回路及びそのラダー抵抗とトランジスタとからなる半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】ラダー抵抗回路を、基板表面に設けられた第1の多結晶シリコン膜からなる第1の抵抗と、第1の抵抗と絶縁膜を介して設けられた第2の多結晶シリコン膜からなる第2の抵抗とから構成される。さらに、ラダー抵抗回路と絶縁ゲート電解効果型トランジスタとからなる半導体集積回路装置において、絶縁ゲート電解効果型トランジスタのゲート電極を第1の多結晶シリコン膜または第2の多結晶シリコン膜で形成した。【効果】抵抗値の大きなラダー抵抗を小面積で実現できる。また、同一基板上に設けられた表面電界型トランジスタのゲート電極と、コンデンサの電極とを容易に同一プロセスで形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板の上の絶縁膜を介して設けられた第1の多結晶シリコン膜と前記第1の多結晶シリコン膜と電気的に接続する第2の多結晶シリコン膜とからなるラダー抵抗を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-040707
特開平1-253950
特開昭57-096548

全件表示

前のページに戻る