強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-125829
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243133
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】本発明は、独自の特性を有し、PZT薄膜キャパシタへの適用性及び例えばFeRAMsのような強誘電体キャパシタ構造への適用性を有するジルコン酸チタン酸鉛(PZT)材料に関する。【解決手段】PZT材料はスケーラブルであり、すなわち、寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および/またはその特性において電界スケーラブルであり、例えば約20ナノメートルから約150ナノメートルの広い厚さの範囲、および、0.15μmまで低く延在する横寸法の範囲に亘って強誘電体キャパシタに有用である。本発明のスケーラブルなPZT材料は、例えば、Nb、Ta、La、Sr、Ca等である材料アクセプタドーパントまたはフィルム改質剤等のPZTフィルム改質技術無しに、液体供給MOCVDにより形成され得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および/または電界スケーラブルである特徴を有する強誘電性PZT材料。

IPC (4件)：

H01B 3/12 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01G 4/33

FI (3件)：

H01B3/12 301 , H01L27/10 444C , H01G4/06 102

Fターム (30件)：

5E082AB01 , 5E082BB10 , 5E082DD11 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG42 , 5F083FR01 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083PR21 , 5G303AA01 , 5G303AB06 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB25 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303DA01

引用文献：

審査官引用 (2件)

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