特許

J-GLOBAL ID：201303069499981358

半導体装置及び半導体装置の駆動方法

発明者： 田村 輝
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-149760
公開番号（公開出願番号）：特開2013-042481
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】ダイナミックレンジを向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】列方向及び行方向に配設された複数の画素と、複数の画素の数より少数配設された第1のトランジスタと、を有し、複数の画素は、照射される光の強度により流れる電流値が定まるフォトダイオードと、電流値により蓄積される電荷の量が定まり、且つ電荷の量を情報として含む出力信号を生成する増幅回路と、をそれぞれ有し、増幅回路は、蓄積された電荷を保持し、且つフォトダイオードの陰極と電気的に接続される第2のトランジスタを少なくとも有し、同じ列に属する、n行(nは自然数)の画素が有する前記フォトダイオードの陰極と、n+1行に配設された画素が有するフォトダイオードの陰極のそれぞれは、第1のトランジスタと電気的に接続されている半導体装置である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

列方向及び行方向に配設された複数の画素と、 前記複数の画素の数より少数配設された第1のトランジスタと、を有し、 前記複数の画素は、照射される光の強度により流れる電流値が定まるフォトダイオードと、前記電流値により蓄積される電荷の量が定まり、且つ前記電荷の量を情報として含む出力信号を生成する増幅回路と、をそれぞれに有し、 前記増幅回路は、蓄積された前記電荷を保持し、且つ前記フォトダイオードの陰極と電気的に接続される第2のトランジスタを少なくとも有し、 同じ列に属する、n行(nは自然数)に配設された画素が有する前記フォトダイオードの陰極と、n+1行に配設された画素が有する前記フォトダイオードの陰極のそれぞれは、前記第1のトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H04N 5/374

FI (1件)：

H04N5/335 745

Fターム (9件)：

5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX22 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ24 ,  5C024JX41

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-191359   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-246202   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所