特許
J-GLOBAL ID：201103023843193424

半導体装置

発明者：
小山 潤

小山 潤 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-246202
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119711
出願日： 2010年11月02日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を1×10-13A以下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジスタの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン半導体に埋設された光電変換素子部と、 前記光電変換素子部と電気的に接続される転送トランジスタと、 前記転送トランジスタと電気的に接続される信号電荷蓄積部と、 前記信号電荷蓄積部と電気的に接続されるリセットトランジスタと、 前記信号電荷蓄積部と電気的に接続される増幅トランジスタと、 を有し、 前記転送トランジスタ及び前記リセットトランジスタのチャネル形成領域は酸化物半導体で形成されており、前記増幅トランジスタのチャネル形成領域はシリコン半導体で形成された画素部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H04N 5/374
FI (6件)：
H01L27/14 C ,  H01L27/14 A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613A ,  H04N5/335 740
Fターム (122件)：
4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB13 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024BX07 ,  5C024CX43 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX04 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA24 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL27 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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