特許

J-GLOBAL ID：201303070253021787

半導体装置

発明者： 李 宰 圭 ,  高 昇 必 ,  金 容 準 ,  金 恩 ジョン
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044630
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187549
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】電気的特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に第1方向に沿った所定の距離内で、前記第1方向に延長され、第1導電型を有する第1半導体層と、前記第1半導体層上に前記第1方向に互いに離隔して、第2導電型を有する複数の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記複数の第2半導体層との側壁を取り囲む絶縁層構造物とを備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に第1方向に沿った所定の距離内で、前記第1方向に延長され、第1導電型を有する第1半導体層と、 前記第1半導体層上に前記第1方向に互いに離隔して、第2導電型を有する複数の第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記複数の第2半導体層の側壁を取り囲む絶縁層構造物とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 27/105

FI (1件)：

H01L27/10 448

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 相変化メモリ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-091320   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-125921   出願人：エルピーダメモリ株式会社