特許
J-GLOBAL ID：200903038692380021

半導体装置およびその製造方法

発明者：
相宗 史記

相宗 史記 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (2件)： 平野 泰弘 ,  首藤 宏平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-125921
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303336
出願日： 2005年04月25日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】安定した性能を示す半導体装置を提供すること。【解決手段】酸化膜およびゲート配線により区画された半導体基板上の所定の位置に設けられたソースおよび/またはドレインせり上げ構造を備えた半導体装置であって、 前記ソースおよび/またはドレインせり上げ構造の上端部の形状の、前記半導体基板法線方向に沿った前記半導体基板上に対する正射投影像が、対応する前記酸化膜および前記ゲート配線により区画された前記半導体基板上の所定の形状と略一致し、かつ、前記ソースおよび/またはドレインせり上げ構造のうち、前記半導体基板と平行な平面で切断して得られる断面の、前記半導体基板法線方向に沿った前記半導体基板上に対する正射投影像の少なくとも一つが、対応する前記酸化膜および前記ゲート配線により区画された前記半導体基板上の所定形状よりも大きいことを特徴とする半導体装置。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられた酸化膜と、 前記半導体シリコン基板上に設けられたゲート配線と、 前記酸化膜および前記ゲート配線により区画された前記半導体シリコン基板上の所定の 位置に設けられ、かつ前記ゲート配線側壁に接して設けられたソースおよび/またはドレ インせり上げ構造と、 を備えた半導体装置であって、 前記ソースおよび/またはドレインせり上げ構造の上端部の形状の、前記半導体シリコ ン基板法線方向に沿った前記半導体シリコン基板上に対する正射投影像が、対応する前記 酸化膜および前記ゲート配線により区画された前記半導体シリコン基板上の所定の形状と 略一致し、 かつ、 前記ソースおよび/またはドレインせり上げ構造のうち、前記半導体シリコン基板と平 行な平面で切断して得られる断面の、前記半導体シリコン基板法線方向に沿った前記半導 体シリコン基板上に対する正射投影像の少なくとも一つが、対応する前記酸化膜および前 記ゲート配線により区画された前記半導体シリコン基板上の所定形状よりも大きいことを 特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L27/10 671Z ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301D ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301S
Fターム (53件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD50 ,  4M104FF14 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F083AD01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083LA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR25 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BH06 ,  5F140BK18 ,  5F140CB04 ,  5F152LL03 ,  5F152LM01 ,  5F152LM02 ,  5F152LM05 ,  5F152LM08 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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