特許

J-GLOBAL ID：200903059591598341

相変化メモリ素子及びその製造方法

発明者： チョン ジン ギ
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-091320
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253299
出願日： 2009年04月03日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】高集積化が可能であり、相変化物質層と発熱層との接触面積を低減することにより、相変化メモリ素子の動作電流量を減少させることができる相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】相変化メモリ素子は、下部電極43と、下部電極43を共有する少なくとも2つの相変化メモリセル53と、を備える。各々の相変化メモリセル53は、下部電極43の対応する分離領域上に形成された発熱層45と、発熱層45を覆うように形成された相変化物質層46と、相変化物質層46上に形成された上部電極47とを備える。また、相変化メモリ素子は、発熱層45と下部電極43の分離領域との間を埋め込む第2絶縁膜48をさらに備えることができる。【選択図】図6B

請求項（抜粋）：

下部電極と、 該下部電極を共有する少なくとも2つの相変化メモリセルと、 を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (23件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA08 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• カルコゲニドクラッド法を使用する単一レベルの金属メモリーセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-572095   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-005310   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• メモリ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172894   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-116388   出願人：エルピーダメモリ株式会社